BCW68GVL, 20nA 45V 250mW 160@100mA,1V 800mA 80MHz 450mV@500mA,50mA PNP +150-@(Tj) SOT-23 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9500 шт., срок 7 недель

13 руб.

Кратность заказа 20 шт.

от 200 шт. — 8 руб.

от 600 шт. — 6.40 руб.

от 2000 шт. — 5.54 руб.

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 260 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8015884842

Артикул: BCW68GVL

45V 250mW 160@100mA,1V 800mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Collector Current (Ic)	800mA
Collector Cut-Off Current (Icbo)	5uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	45V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	450mV@500mA, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	160@100mA, 1V
Operating Temperature	-
Power Dissipation (Pd)	250mW
Transistor Type	PNP
Transition Frequency (fT)	80MHz
Brand:	Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO:	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	450 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	-800 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min:	160
DC Current Gain hFE Max:	400
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity:	10000
Gain Bandwidth Product fT:	80 MHz
Manufacturer:	Nexperia
Maximum DC Collector Current:	800 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package/Case:	SOT-23-3
Part # Aliases:	934070945235
Pd - Power Dissipation:	250 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Вес, г	0.02