BCX55TA, Diodes Inc NPN Transistor, 1 A, 60 V, 3-Pin SOT-89

Фото 2/3 BCX55TA, Diodes Inc NPN Transistor, 1 A, 60 V, 3-Pin SOT-89Фото 3/3 BCX55TA, Diodes Inc NPN Transistor, 1 A, 60 V, 3-Pin SOT-89
Фото 1/3 BCX55TA, Diodes Inc NPN Transistor, 1 A, 60 V, 3-Pin SOT-89
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
35 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 1 750 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8662294507
Артикул: BCX55TA
Производитель: Diodes Incorporated

Описание

Semiconductors
NPN-транзисторы общего назначения, до 1,5 А, Diodes Inc.

Технические параметры

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 150 MHz
Number of Elements per Chip 1
Length 4.6mm
Maximum Collector Base Voltage 60 V
Transistor Configuration Single
Brand DiodesZetex
Maximum Collector Emitter Voltage 60 V
Package Type SOT-89
Maximum Power Dissipation 1 W
Mounting Type Surface Mount
Minimum Operating Temperature -65 °C
Width 2.6mm
Maximum DC Collector Current 1 A
Transistor Type NPN
Height 1.6mm
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Dimensions 4.6 x 2.6 x 1.6mm
Minimum DC Current Gain 40
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,5 В
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение коллектор-база 60 В
Тип корпуса SOT-89
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Максимальный пост. ток коллектора 1 A
Тип транзистора NPN
Высота 1.6мм
Pd - рассеивание мощности 1000 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Длина 4.6 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25 at 5 mA, 2 V
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BCX55
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.6 mm
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single Dual Collector
Maximum Collector Base Voltage (V) 60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 60
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.5@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A) 1
Maximum Power Dissipation (mW) 2000
Maximum Transition Frequency (MHz) 150(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Supplier Temperature Grade Automotive
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-89
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 1.5
Package Length 4.5
Package Width 2.5
PCB changed 3
Tab Tab

Техническая документация

Datasheet
pdf, 377 КБ
Datasheet BCX55TA
pdf, 369 КБ
Datasheet
pdf, 388 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах