BD139-10STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ815Г), [TO-126]

Артикул: BD139-10STU
PartNumber: BD13910STU
Ном. номер: 60431326
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 BD139-10STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ815Г), [TO-126]
Фото 2/3 BD139-10STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ815Г), [TO-126]Фото 3/3 BD139-10STU, Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (=КТ815Г), [TO-126]
Есть в наличии более 600 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
12 руб. × = 12 руб.
от 60 шт. — 11 руб.
от 600 шт. — 10 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The BD13910STU is a NPN Epitaxial Silicon Transistor suitable for medium power linear and switching applications. The bipolar transistor complement to BD138 PNP transistor.

• -55 to 150°C Operating temperature range

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

Дополнительная информация

BD135 / 137 / 139, NPN Epitaxial Silicon Transistor Data Sheet
Datasheet BD139-10STU BD13910STU