BD239C, NPN power transistor,BD23

PartNumber: BD239C
Ном. номер: 8035102577
Производитель: ST Microelectronics
BD239C, NPN power transistor,BD23
Доступно на заказ 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
62 руб. × = 310 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 32 руб.
от 50 шт. — 21.80 руб.

Описание

NPN Power Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Bipolar Transistors

Semiconductors

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
9.15 x 10.4 x 4.6mm
высота
9.15mm
длина
10.4mm
Maximum Collector Base Voltage
115 V
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum DC Collector Current
2 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
2 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220
Pin Count
3
ширина
4.6mm
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.7 V
Minimum DC Current Gain
15
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

BD239C NPN SILICON POWER TRANSISTOR Data Sheet BD239C