BD680G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 200 МГц, 40 Вт, -4 А, 750 hFE
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 19 шт.
от 100 шт. —
131 руб.
Добавить в корзину 19 шт.
на сумму 2 850 руб.
Посмотреть аналоги1
Описание
750@3V,1.5A 80V PNP 4A 40W TO-225-3 Darlington Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 4A |
| Collector cut-off current (Icbo@Vcb) | 500uA |
| Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 2.5V@1.5A, 30mA |
| Collector-emitter voltage (Vceo) | 80V |
| DC current gain (hFE@Vce,Ic) | 750@3V, 1.5A |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 40W |
| Transistor Type | PNP |
| Transition frequency (fT) | - |
| Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
onsemi BD680G
pdf, 142 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
