BD911, NPN биполярный транзистор

Артикул: BD911
Ном. номер: 23664
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 BD911, NPN биполярный транзистор
Фото 2/3 BD911, NPN биполярный транзисторФото 3/3 BD911, NPN биполярный транзистор
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
27 руб. × = 27 руб.
от 50 шт. — 25 руб.
от 100 шт. — 19.84 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The BD911 from STMicroelectronics is a through hole NPN complementary power transistors in TO-220 package. This device manufactured in epitaxial planar technology.

• Collector to emitter voltage (Vce) is 100V
• Collector current (Ic) is 15A
• Power dissipation (Pd) is 90W
• Collector to emitter saturation voltage of 3V at 10A collector current
• DC current gain (hFE) of 5 at 10A collector current
• Operating junction temperature range from 150°C

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

BD909-BD912
pdf, 1154 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BD911
Datasheet BD911
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов