BDV64BG, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 125 Вт, -10 А, 1000 hFE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
760 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
650 руб.
от 100 шт. —
523 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 040 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор биполярный PNP Дарлингтон BDV64BG от ONSEMI - идеальный выбор для проектов, требующих высоких напряжений и токов. С монтажом THT, этот компонент обеспечивает ток коллектора до 10 А и напряжение коллектор-эмиттер до 100 В, при мощности 125 Вт. Упакованный в надежный TO247 корпус, он гарантирует долговечность и стабильность в широком диапазоне областей применения. Модель BDV64BG отличается высокой эффективностью и простотой в интеграции с вашими проектами. Используя BDV64BG, вы получаете надежность и производительность от ведущего производителя ONSEMI, что делает его отличным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP, Дарлингтон |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 10 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 100 |
Мощность, Вт | 125 |
Корпус | TO247 |
Технические параметры
Collector Current (DC) | 10(A) |
Collector Current (DC) (Max) | 10 A |
Collector-Base Voltage | 100(V) |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2(V) |
Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 1000 |
Emitter-Base Voltage | 5(V) |
Maximum Collector Cut-off Current | 400 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -65C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | TO-247 |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 3+Tab |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 125(W) |
Rad Hardened | No |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V dc |
Maximum Collector Emitter Voltage | -100 V |
Maximum DC Collector Current | -10 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V dc |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 125 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 9.185 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов