BDV64BG, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 125 Вт, -10 А, 1000 hFE

PartNumber: BDV64BG
Ном. номер: 8080474404
Производитель: ON Semiconductor
BDV64BG, Биполярный транзистор, дарлингтона, PNP, -100 В, 125 Вт, -10 А, 1000 hFE
Доступно на заказ 372 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
190 руб. × = 190 руб.
от 25 шт. — 151 руб.
от 100 шт. — 121 руб.

Описание

The BDV64BG is a -100V Silicon PNP Bipolar Darlington Plastic Power Transistor that can be used as output devices in complementary general purpose amplifier applications. The transistor has monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.

• High DC current gain
• Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-100В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-93
Рассеиваемая Мощность
125Вт
Полярность Транзистора
PNP
DC Ток Коллектора
-10А
DC Усиление Тока hFE
1000hFE

Дополнительная информация

Datasheet BDV64BG