Добавить к сравнению Сравнить ()

BDX33C, Мощный составной NPN транзистор с диодом

Артикул: BDX33C
Ном. номер: 280909630
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 BDX33C, Мощный составной NPN транзистор с диодом
Фото 2/3 BDX33C, Мощный составной NPN транзистор с диодомФото 3/3 BDX33C, Мощный составной NPN транзистор с диодом
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
17 × = 17
от 50 шт. — 15 руб.
от 500 шт. — 14 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The BDX33C is a NPN complementary silicon power Darlington Transistor with built-in epitaxial planar technology. Designed for use in power linear and switching applications.

• Complement to BDX34C
• 0.25A Base current

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

BDX33C datasheet
pdf, 38 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BDX33C
Datasheet BDX33C
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов