BDX34C, Мощный составной PNP транзистор с диодом, 100В, 10А, 70 Вт, TO220

Артикул: BDX34C
Ном. номер: 22269
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 BDX34C, Мощный составной PNP транзистор с диодом, 100В, 10А, 70 Вт, TO220
Фото 2/3 BDX34C, Мощный составной PNP транзистор с диодом, 100В, 10А, 70 Вт, TO220Фото 3/3 BDX34C, Мощный составной PNP транзистор с диодом, 100В, 10А, 70 Вт, TO220
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
17 руб. × = 17 руб.
от 50 шт. — 15 руб.
от 500 шт. — 14 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

Bipolar Transistors

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

BDX34C Datasheet
pdf, 38 КБ

Дополнительная информация

BDX33B BDX33C BDX34B BDX34C COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Data Sheet BDX34C
Datasheet BDX34C
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов