BDX53BG, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 65 Вт, 8 А, 750 hFE

BDX53BG, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 65 Вт, 8 А, 750 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8859953746
Артикул: BDX53BG
Производитель: ON Semiconductor
140 руб.
653 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 111 руб.
от 100 шт. — 76 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
41 руб. 7 дней, 240 шт. 20 шт. 20 шт.
90 руб. 3-5 недель, 1050 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 81.10 руб.
от 100 шт. — 64.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 80В
Стиль Корпуса Транзистора TO-220AB
Рассеиваемая Мощность 65Вт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE 750hFE
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 4 V dc
Максимальная рабочая температура +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 2.5 V dc
Length 10.53мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 80 V dc
Максимальный непрерывный ток коллектора 8 A
Package Type TO-220
Maximum Power Dissipation 65 Вт
Mounting Type Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура -65 °C
Width 4.83мм
Transistor Type NPN
Height 9.28мм
Число контактов 3
Размеры 10.53 x 4.83 x 9.28мм
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Конфигурация Одиночный
Minimum DC Current Gain 750
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 4 V dc
Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 2,5 В пост. тока
Length 10.53мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 80 V dc
Максимальный непрерывный ток коллектора 8 A
Тип корпуса TO-220
Максимальное рассеяние мощности 65 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature -65 °C
Width 4.83мм
Тип транзистора NPN
Height 9.28мм
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 5 V dc
Dimensions 10.53 x 4.83 x 9.28мм
Конфигурация Одиночный
Minimum DC Current Gain 750
Вес, г 2.876

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.