Мой регион: Россия

BF720T1G

Ном. номер: 8139562278
PartNumber: BF720T1G
Производитель: ON Semiconductor
BF720T1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
42 руб.
44472 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 12 шт. — 32 руб.
от 102 шт. — 17 руб.
Кратность заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
9 руб. По запросу 1 шт. 462 шт.
от 819 шт. — 7.60 руб.
16 руб. 4 дня, 1940 шт. 1 шт. 37 шт.
от 59 шт. — 14 руб.
от 118 шт. — 9.60 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Bipolar Transistor; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo: 300V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat): 50V; Power Dissipation, Pd: 1.5W; DC Current Gain Min (hfe): 50; Package/Case: SOT-223
Корпус PGSOT2234, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 50

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В пост. тока
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
35 МГц
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.7мм
Максимальное напряжение коллектор-база
300 V dc
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN
Высота
1.65мм
Число контактов
3 + Tab
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.