Мой регион: Россия

BFP 620F H7764, LN RF SiGe BJT NPN 2.3V 8

PartNumber: BFP 620F H7764
Ном. номер: 8000000785
Производитель: Infineon Technologies
BFP 620F H7764, LN RF SiGe BJT NPN 2.3V 8
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
45 руб.
2835 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 15 шт.
Добавить в корзину 15 шт. на сумму 675 руб.
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe: C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
1.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
7.5 V
Производитель
Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
7.5 V
Тип корпуса
TSFP
Максимальное рассеяние мощности
185 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
0.8мм
Максимальный пост. ток коллектора
80 мА
Тип транзистора
NPN
Высота
0.55мм
Число контактов
4
Размеры
1.4 x 0.8 x 0.55мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
1,2 В
Материал транзистора
SiGe
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
110

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.