Мой регион: Россия

BFP640H6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.5 В, 40 ГГц, 200 мВт, 50 мА, 110 hFE

Ном. номер: 8221991089
PartNumber: BFP640H6327XTSA1
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 BFP640H6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.5 В, 40 ГГц, 200 мВт, 50 мА, 110 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BFP640H6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.5 В, 40 ГГц, 200 мВт, 50 мА, 110 hFE
37 руб.
2665 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 36 руб.
от 100 шт. — 24 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
14 руб. 2998 шт. 1 шт. 284 шт.
от 503 шт. — 12.30 руб.
44 руб. 3-4 недели, 2425 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 35.90 руб.
от 25 шт. — 35.50 руб.
47 руб. 2-3 недели, 2814 шт. 3 шт. 3 шт.
от 18 шт. — 30 руб.
от 138 шт. — 24 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The BFP 640 H6327 is a NPN low-noise Bipolar RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 10mA this device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 40GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 8GHz in amplifier applications. The device is housed in an easy to use plastic package with visible leads.

• Linear low-noise wide band transistor
• High linearity
• High transition frequency
• Low power consumption
• Easy to use
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

EU RoHS
Compliant
Material
SiGe
Type
NPN
Configuration
Single Dual Emitter
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Emitter Voltage (V)
4
Maximum Collector Base Voltage (V)
13
Maximum Emitter Base Voltage (V)
1.2
Maximum DC Collector Current (A)
0.05
Maximum Power Dissipation (mW)
200
Minimum DC Current Gain
110@30mA@3V
Minimum DC Current Gain Range
50 to 120
Maximum Transition Frequency (MHz)
40000(Typ)
Maximum Noise Figure (dB)
1.2(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power 1dB Compression (dBm)
13(Typ)
Operational Bias Conditions
3V/30mA
Typical Power Gain (dB)
24
Maximum 3rd Order Intercept Point (dBm)
26.5(Typ)
Maximum Emitter Cut-Off Current (nA)
3000
Packaging
Tape and Reel
Maximum DC Collector Current Range (A)
0.001 to 0.06
Maximum Collector Emitter Voltage Range (V)
<20
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
100
Mounting
Surface Mount
Package Height (mm)
0.9(Max)
Package Length (mm)
2
Package Width (mm)
1.25
PCB changed
3
Tab
Tab
Standard Package Name
SOT-343
Supplier Package
SOT-343
Pin Count
4
Lead Shape
Gull-wing
Вес, г
0.006

Дополнительная информация

Datasheet BFP640H6327XTSA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.