BFP650H6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.5 В, 42 ГГц, 500 мВт, 150 мА, 100 hFE

PartNumber: BFP650H6327XTSA1
Ном. номер: 8050182719
Производитель: Infineon Technologies
BFP650H6327XTSA1, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 4.5 В, 42 ГГц, 500 мВт, 150 мА, 100 hFE
Доступно на заказ 940 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
45 руб. × = 45 руб.
от 25 шт. — 42 руб.
от 100 шт. — 40 руб.

Описание

The BFP 650 H6327 is a NPN high linearity wideband Bipolar RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 30mA the device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 42GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 5GHz in amplifier applications. The device is housed in an easy to use plastic package with visible leads.

• Linear low-noise driver amplifier
• Easy to use
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер
4.5В
Рассеиваемая Мощность
500мВт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
150мА
Корпус РЧ Транзистора
SOT-343
DC Усиление Тока hFE
100hFE
Частота Перехода ft
42ГГц

Дополнительная информация

Datasheet BFP650H6327XTSA1