BFR193WH6327, Low Noise RF Transistor N

PartNumber: BFR193WH6327
Ном. номер: 8004359279
Производитель: Infineon Technologies
BFR193WH6327, Low Noise RF Transistor N
Доступно на заказ более 300 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
14 руб. × = 1 400 руб.
Цена указана за упаковку из 100
Количество товаров должно быть кратно 100 уп.

Описание

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Semiconductors

Технические параметры

Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Максимальное напряжение коллектор-база
20 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 V
Максимальный пост. ток коллектора
0.08 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 V
Максимальная рабочая частота
8 ГГц
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
580 мВт
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-323
Число контактов
3
Ширина
1.25mm
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
70
Тип транзистора
NPN
Высота
0.8mm
Длина
2mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BFR193W Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor Datasheet BFR193WH6327