BPY62-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
990 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 990 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Фототранзистор, TO18, 4,8мм, -p макс: 830нм, 35В, 8°, -d: 400-1100нм
Технические параметры
| Brand | OSRAM Opto Semiconductors |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 35 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 35 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 160 mV |
| Dark Current | 50 nA |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 9 us |
| Half Intensity Angle Degrees | 8 deg |
| Height | 6.2 mm |
| Length | 5.6 mm |
| Light Current | 2500 uA |
| Manufacturer | Osram Opto Semiconductor |
| Maximum On-State Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +125 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-18 |
| Packaging | Bulk |
| Part # Aliases | Q60215Y1113 |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Peak Wavelength | 830 nm |
| Product | Phototransistors |
| Product Category | Phototransistors |
| Rise Time | 9 us |
| RoHS | Details |
| Type | Chip |
| Wavelength | 830 nm |
| Width | 5.6 mm |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Документация
pdf, 264 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
