BR93H76RF-2CE2, EEPROM, AEC-Q100, 3-проводной, 8 Кбит, 512 x 16бит, 1.25 МГц, SOP, 8 вывод(-ов)

PartNumber: BR93H76RF-2CE2
Ном. номер: 8117923857
Производитель: Rohm
BR93H76RF-2CE2, EEPROM, AEC-Q100, 3-проводной, 8 Кбит, 512 x 16бит, 1.25 МГц, SOP, 8 вывод(-ов)
Доступно на заказ 198 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
79 руб. × = 79 руб.
от 10 шт. — 59 руб.
от 100 шт. — 46 руб.


The BR93H76RF-2CE2 is an 8Kbit serial EEPROM of serial 3-line interface method in 8 pin SOP package. This EEPROM conforming to Microwire bus and withstands electrostatic voltage up to 6KV (HBM method typ). It has an address auto increment function at READ operation, prevention of write mistake such as write prohibition at power on, write prohibition by command code and write mistake prevention circuit at low voltage. Device is high reliable using original double cell structure, more than 50 years data retention (Ta <= 125°c)="" and="" more="" than="" 300000="" write="" cycles="" (ta=""></=><=></=>

• Single supply voltage operate from 2.5V to 5.5V
• Operating temperature range from -40°C to +125°C
• Automotive grade AEC-Q100 qualified
• Self timed programming cycle
• Program condition display by READY/BUSY (complementary)
• Data set to FFFFh on all addresses at shipment
• Low supply current for write operation is 0.8mA (typ) at 5V
• Low supply current for read operation is 0.5mA (typ) at 5V
• Low supply current for standby operation is 0.1µA (typ) at 5V
• Bit format of 512 x 16bit

Полупроводники - Микросхемы\Память\EEPROM

Технические параметры

Линия Продукции
8Kbit Serial Microwire EEPROMs
Минимальная Рабочая Температура
Максимальная Рабочая Температура
Максимальное Напряжение Питания
Минимальное Напряжение Питания
Количество Выводов
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Тип Интерфейса ИС
Тактовая Частота
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
Размер Памяти
Конфигурация Памяти EEPROM
512 x 16бит

Дополнительная информация

Datasheet BR93H76RF-2CE2