Мой регион: Россия

BS170-D26Z, МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 60 В, 1.2 Ом, 10 В, 2.1 В

Ном. номер: 8157807730
PartNumber: BS170-D26Z
Производитель: ON Semiconductor
BS170-D26Z, МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 60 В, 1.2 Ом, 10 В, 2.1 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
47 руб.
2247 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 31 руб.
от 100 шт. — 14 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
28 руб. 2-3 недели, 985 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 15 руб.
от 55 шт. — 11 руб.
42 руб. 3-4 недели, 323 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 30.40 руб.
от 25 шт. — 28.70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The BS170_D26Z is a 60V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This device has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. This can be used in most applications requiring up to 500mA DC. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications. This product is general usage and suitable for many different applications.

• High density cell design for low RDS (ON)
• Voltage controlled small signal switch
• Rugged and reliable
• High saturation current capability
• 60V Drain gate voltage (VDGR)
• ±20V Continuous gate source voltage (VGSS)
• 150°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г
0.286

Дополнительная информация

Datasheet BS170-D26Z

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.