BSC009NE2LS5IATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 25 В, 100 А, 800 мкОм, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
720 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
650 руб.
от 100 шт. —
501 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 880 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, TDSON, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:100A, Drain Source Voltage Vds:25V, On Resistance Rds(on):0.0008ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.6V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 75 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSC009NE2LS5I SP001212434 |
| Pd - Power Dissipation: | 74 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 36 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 950 uOhms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Вес, г | 0.389 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1243 КБ
Документация
pdf, 1299 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
