BSC042NE7NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 75 В, 0.0037 Ом, 10 В, 3.1 В

PartNumber: BSC042NE7NS3GATMA1
Ном. номер: 8011756535
Производитель: Infineon Technologies
BSC042NE7NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 75 В, 0.0037 Ом, 10 В, 3.1 В
Доступно на заказ 3491 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
250 руб. × = 250 руб.
от 25 шт. — 207 руб.
от 100 шт. — 156 руб.


The BSC042NE7NS3 G is a N-channel Power MOSFET with OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest ON-state resistances and superior switching performance.

• Best switching performance
• World's lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• MSL1 rated
• Environmentally friendly
• Increased efficiency
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Ideal for high frequency switching and DC-to-DC converters
• Normal level
• Superior thermal resistance
• 100% avalanche tested
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet BSC042NE7NS3GATMA1