Мой регион: Россия

BSC050NE2LSATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 25 В, 0.0042 Ом, 10 В, 2 В

Ном. номер: 8230381492
PartNumber: BSC050NE2LSATMA1
Производитель: Infineon Technologies
BSC050NE2LSATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 25 В, 0.0042 Ом, 10 В, 2 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
90 руб.
345 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 76 руб.
от 100 шт. — 47 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
80 руб. 3-4 недели, 2115 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 69.90 руб.
от 25 шт. — 69.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The BSC050NE2LS is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator applications. It is available in half-bridge configuration. It minimizes EMI in the system making external snubber networks obsolete and the products easy to design-in.

• Reduces the number of phases in multiphase converters
• Reduce power losses and increase efficiency for all load conditions
• Save space with smallest packages like CanPAK™
• Optimized for high performance buck converter
• Very low ON-resistance RDS (ON) @ VGS = 4.5V
• 100% Avalanche tested
• Superior thermal resistance
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Halogen-free, Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г
0.3

Дополнительная информация

Datasheet BSC050NE2LSATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.