BSC054N04NSGATMA1, MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
от 10 шт. —
180 руб.
от 100 шт. —
133 руб.
от 500 шт. —
107.66 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 210 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | No Lead |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 17 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 5.4 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | No |
| Process Technology | OptiMOS |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SON |
| Supplier Package | TDSON EP |
| Typical Fall Time (ns) | 3.6 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 26 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 26 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2100 20V |
| Typical Rise Time (ns) | 2.6 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Maximum Continuous Drain Current | 81 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0054 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Series | OptiMOS |
| Transistor Material | Si |
| Drain Source On State Resistance | 0.0045Ом |
| Power Dissipation | 57Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 81А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 57Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0045Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PG-TDSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, кг | 95 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 469 КБ
Datasheet BSC054N04NSGATMA1
pdf, 518 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
