BSC057N03LSG, MOSFET N-Ch 17A 30V OptiM

PartNumber: BSC057N03LSG
Ном. номер: 8146579772
Производитель: Infineon Technologies
BSC057N03LSG, MOSFET N-Ch 17A 30V OptiM
Доступно на заказ 3850 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
36 руб. × = 900 руб.
Количество товаров должно быть кратно 25 шт.
от 250 шт. — 26 руб.
от 500 шт. — 21 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Semiconductors

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.1 x 5.49 x 1.1мм
Максимальный непрерывный ток стока
71 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0085 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
45 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TDSON
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1800 пФ при 15 В
Типичное время задержки выключения
19 нс
Типичное время задержки включения
4.7 нс
Ширина
5.49mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
1.1mm
Длина
6.1mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BSC057N03LS G, OptiMOS3 Power-MOSFET