BSC059N04LS6ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 59 А, 0.0047 Ом, TDSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

340 руб.

Мин. кол-во для заказа 8 шт.

от 10 шт. — 300 руб.

от 100 шт. — 223 руб.

Добавить в корзину 8 шт. на сумму 2 720 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001643384

Артикул: BSC059N04LS6ATMA1

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

The Infineon has MOSFET is Optimized for synchronous application, Very low on-resistance and Superior thermal resistance.

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0047Ом
Power Dissipation	38Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	OptiMOS 6
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	40В
Непрерывный Ток Стока	59А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.3В
Рассеиваемая Мощность	38Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0047Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TDSON
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current - (A)	17
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	5.9@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	40
Maximum Gate Source Voltage - (V)	20
Maximum Power Dissipation - (mW)	3000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~175
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	8
Supplier Package	TDSON EP
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	9.4
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	4.6@4.5VI9.4@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	640@20V
Maximum Continuous Drain Current	59 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	SuperSO8 5x6
Вес, г	0.5