BSC060N10NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 100 В, 0.0053 Ом, 10 В, 2.7 В

PartNumber: BSC060N10NS3GATMA1
Ном. номер: 8009034993
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 BSC060N10NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 100 В, 0.0053 Ом, 10 В, 2.7 В
Фото 2/2 BSC060N10NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 100 В, 0.0053 Ом, 10 В, 2.7 В
Доступно на заказ 906 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
150 руб. × = 150 руб.
от 25 шт. — 125 руб.
от 100 шт. — 101 руб.

Описание

The BSC060N10NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.

• Excellent switching performance
• World's lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Environmentally friendly
• Increased efficiency
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Halogen-free
• MSL1 rated 2

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TDSON
Рассеиваемая Мощность
125Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Непрерывный Ток Стока
90А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0053Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.7В

Дополнительная информация

Datasheet BSC060N10NS3GATMA1