Мой регион: Россия

BSC076N06NS3G, MOSFET N-CH 50A 60V OPTIMOS3 TDSON8EP

Ном. номер: 8000005343
PartNumber: BSC076N06NS3G
Производитель: Infineon Technologies
BSC076N06NS3G, MOSFET N-CH 50A 60V OPTIMOS3 TDSON8EP
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
96 руб.
13460 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 200 шт. — 65 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 1 920 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
50 A
Тип корпуса
TDSON
Максимальное рассеяние мощности
69 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
6.35мм
Высота
1.1мм
Размеры
5.49 x 6.35 x 1.1мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5.49мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
20 ns
Серия
OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
7,6 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
37 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3000 пФ при 30 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.