BSC080N03LSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 53 А, 30 В, 0.0067 Ом, 10 В, 2.2 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
от 100 шт. —
171 руб.
Добавить в корзину 13 шт.
на сумму 2 860 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | No Lead |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 14 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 8 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.2 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Obsolete |
PCB changed | 8 |
Pin Count | 8 |
PPAP | No |
Process Technology | OptiMOS |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SON |
Supplier Package | TDSON EP |
Typical Fall Time (ns) | 2.6 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 16 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 16 10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300 15V |
Typical Rise Time (ns) | 2.8 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 15 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.3 |
Вес, г | 0.363 |
Техническая документация
BSC080N03LS
pdf, 467 КБ
Datasheet
pdf, 470 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов