BSC080N03LSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 53 А, 30 В, 0.0067 Ом, 10 В, 2.2 В

Фото 1/2 BSC080N03LSGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 53 А, 30 В, 0.0067 Ом, 10 В, 2.2 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
от 100 шт.171 руб.
Добавить в корзину 13 шт. на сумму 2 860 руб.
Номенклатурный номер: 8740948484
Артикул: BSC080N03LSGATMA1

Описание

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Quad Drain Triple Source
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape No Lead
Maximum Continuous Drain Current (A) 14
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 8 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2.2
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 2500
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Obsolete
PCB changed 8
Pin Count 8
PPAP No
Process Technology OptiMOS
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SON
Supplier Package TDSON EP
Typical Fall Time (ns) 2.6
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 16
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 16 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1300 15V
Typical Rise Time (ns) 2.8
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 15
Typical Turn-On Delay Time (ns) 3.3
Вес, г 0.363

Техническая документация

BSC080N03LS
pdf, 467 КБ
Datasheet
pdf, 470 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов