BSC0910NDIATMA1, MOSFET TRENCH = 40V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
500 руб.
от 10 шт. —
410 руб.
от 100 шт. —
337 руб.
от 500 шт. —
286.39 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
BSC0910NDI, SP000998052
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Fall Time: | 2.4 ns, 4.1 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 42 S, 85 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | TISON-8 |
| Part # Aliases: | BSC0910NDI SP000998052 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.6 nC, 30.6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms, 900 uOhms |
| Rise Time: | 3.6 ns, 5.6 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | OptiMOS |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns, 28 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.4 ns, 5.6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0035Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TISON |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0059 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TISON-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | OptiMOS |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet BSC0910NDIATMA1
pdf, 657 КБ
Datasheet BSC0910NDIATMA1
pdf, 684 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
