BSC0924NDIATMA1
13 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
181 руб.
от 13 шт. —
171.36 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Номенклатурный номер: 8001934885
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 40A, TISON; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:TISON; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:OptiMOS Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 17@Q 1I32@Q 2 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5@10V@Q 1I3.7@10V@Q 2 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | OptiMOS |
| Standard Package Name | SON |
| Supplier Package | TISON EP |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 6.7@4.5V@Q1I8.5@4.5V@Q2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 870@15V@Q 1I1100@15V@Q 2 |
| Вес, г | 0.256 |
Техническая документация
Datasheet BSC0924NDIATMA1
pdf, 745 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
