Мой регион: Россия

BSC252N10NSFGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 100 В, 0.0195 Ом, 10 В, 3 В

Ном. номер: 8693950579
PartNumber: BSC252N10NSFGATMA1
Производитель: Infineon Technologies
BSC252N10NSFGATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 100 В, 0.0195 Ом, 10 В, 3 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
140 руб.
120 руб.
9756 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 87 руб.
от 100 шт. — 62 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.

The BSC252N10NSF G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.

• Excellent switching performance
• World's lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Environmentally friendly
• Increased efficiency
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Halogen-free
• MSL1 rated 2

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г
0.159

Дополнительная информация

Datasheet BSC252N10NSFGATMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.