BSC350N20NSFDATMA1, Транзистор MOSFET N-канал 200В 35А [TDSON-8 EP]

Фото 1/3 BSC350N20NSFDATMA1, Транзистор MOSFET N-канал 200В 35А [TDSON-8 EP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
250 руб.
от 15 шт.235 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.
Номенклатурный номер: 9000555514
Артикул: BSC350N20NSFDATMA1

Описание

The Infineon OptiMOS™ series N-channel power MOSFET. These devices are the perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control and DC-AC inverter.

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.035 Ом/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Корпус PG-TDSON-8
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора TDSON
Рассеиваемая Мощность 150Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 200В
Непрерывный Ток Стока 35А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.031Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка продукции OptiMOS Series
Вес, г 0.36

Техническая документация

Datasheet BSC350N20
pdf, 1024 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов