BSC350N20NSFDATMA1, Транзистор MOSFET N-канал 200В 35А [TDSON-8 EP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
от 15 шт. —
235 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Описание
The Infineon OptiMOS™ series N-channel power MOSFET. These devices are the perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control and DC-AC inverter.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.035 Ом/35А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 | |
Корпус | PG-TDSON-8 | |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C | |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
Стиль Корпуса Транзистора | TDSON | |
Рассеиваемая Мощность | 150Вт | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Напряжение Истока-стока Vds | 200В | |
Непрерывный Ток Стока | 35А | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.031Ом | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В | |
Линейка продукции | OptiMOS Series | |
Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet BSC350N20NSFDATMA1
pdf, 931 КБ
Datasheet BSC350N20
pdf, 1024 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают