Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

BSH103.215, Транзистор MOSFET N-CH 30В 0.85А [ SOT-23-3 ]

Артикул: BSH103.215
PartNumber: BSH103,215
Ном. номер: 9000034346
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/2 BSH103.215, Транзистор MOSFET N-CH 30В 0.85А [ SOT-23-3 ]
Фото 2/2 BSH103.215, Транзистор MOSFET N-CH 30В 0.85А [ SOT-23-3 ]
Есть в наличии более 1000 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
7 × = 7
от 100 шт. — 6 руб.
от 1000 шт. — 5.30 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The BSH103 from NXP is a surface mount, N channel enhancement mode MOS transistor in SOT-23 package using TrenchMOS technology. This transistor features very low threshold, high speed switching, no secondary breakdown and direct interface to CMOS, TTL. BSH103 is designed and qualified for use in high frequency applications, glue logic interface between logic blocks or periphery, computing, battery powered applications.

• Suitable for use with all 5V logic families
• Suitable for very low gate drive sources
• Drain to source voltage (Vds) of 30V
• Gate to source voltage of ±8V
• Drain current (Id) of 850mA
• Power dissipation (Pd) of 750mW
• Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
500
Корпус

Техническая документация

BSH103
pdf, 78 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BSH103.215 BSH103,215
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов