Мой регион: Россия

BSN20BKR, МОП-транзистор, траншейный, N Канал, 265 мА, 60 В, 2.1 Ом, 10 В, 1 В

Ном. номер: 8220666864
PartNumber: BSN20BKR
Производитель: Nexperia
Фото 1/2 BSN20BKR, МОП-транзистор, траншейный, N Канал, 265 мА, 60 В, 2.1 Ом, 10 В, 1 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BSN20BKR, МОП-транзистор, траншейный, N Канал, 265 мА, 60 В, 2.1 Ом, 10 В, 1 В
27 руб.
6410 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 26 руб.
от 100 шт. — 11 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
7 руб. 8 дней, 6000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Continuous Drain Current
330 mA
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
1.67 W
Mounting Type
Surface Mount
Width
1.4mm
Forward Transconductance
0.71S
Height
1mm
Dimensions
3 x 1.4 x 1mm
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Transistor Configuration
Single
Typical Turn-On Delay Time
7.9 ns
Brand
Nexperia
Typical Turn-Off Delay Time
12.5 ns
Series
BSN20BK
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Drain Source Resistance
2.8 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pin Count
3
Category
Trench MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs
0.49 nC @ 4.5 V
Channel Mode
Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds
20.2 pF @ 30 V
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Forward Diode Voltage
1.2V
Вес, г
0.318

Дополнительная информация

Datasheet BSN20BKR

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.