BSO080P03SHXUMA1, МОП-транзистор, P Канал, -12.6 А, -30 В, 0.0067 Ом, -10 В, -1.5 В

PartNumber: BSO080P03SHXUMA1
Ном. номер: 8035421966
Производитель: Infineon Technologies
BSO080P03SHXUMA1, МОП-транзистор, P Канал, -12.6 А, -30 В, 0.0067 Ом, -10 В, -1.5 В
Доступно на заказ 1613 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
140 руб. × = 140 руб.
от 25 шт. — 121 руб.
от 100 шт. — 95 руб.

Описание

The BSO080P03S H is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.

• Enhancement-mode
• Logic level
• Avalanche rated
• Qualified to JEDEC for target applications
• Halogen-free, Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
1.79Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-30В
Непрерывный Ток Стока
-12.6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0067Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-1.5В

Дополнительная информация

Datasheet BSO080P03SHXUMA1