Мой регион: Россия

BSO220N03MDG, MOSFET N-Ch 6A 30V OptiMO

PartNumber: BSO220N03MDG
Ном. номер: 8000005354
Производитель: Infineon Technologies
BSO220N03MDG, MOSFET N-Ch 6A 30V OptiMO
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
61 руб.
1950 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 200 шт. — 37 руб.
от 1000 шт. — 28 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 3 050 руб.
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
7.7 A
Тип корпуса
DSO
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.65мм
Размеры
5 x 4 x 1.65мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
5мм
Transistor Configuration
Изолированный
Типичное время задержки включения
5.7 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
6,4 нс
Серия
OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
27 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
600 пФ при 15 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.