Мой регион: Россия

BSP125H6327XTSA1, MOSFET N-Ch 120mA 600V SI

PartNumber: BSP125H6327XTSA1
Ном. номер: 8000005357
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 BSP125H6327XTSA1, MOSFET N-Ch 120mA 600V SI
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 BSP125H6327XTSA1, MOSFET N-Ch 120mA 600V SIФото 3/3 BSP125H6327XTSA1, MOSFET N-Ch 120mA 600V SI
59 руб.
1300 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 250 шт. — 35 руб.
от 500 шт. — 33 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
22 руб. 3-4 недели, 25000 шт. 1000 шт. 1000 шт.
от 2000 шт. — 21.80 руб.
от 4000 шт. — 21.20 руб.
27 руб. 3-4 недели, 800 шт. 1 шт. 10 шт.
67 руб. 2-3 недели, 80 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 61 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
120 мА
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
1,8 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.5мм
Высота
1.6мм
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7,7 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
20 ns
Серия
SIPMOS
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Максимальное сопротивление сток-исток
45 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Число контактов
3+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
4.4 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
100 pF @ 25 V
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet BSP125H6327XTSA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.