BSP250,115, Транзистор Enhancement Mode D-MOS, P-канал, 30В, 3А [SOT-223]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
677 шт. со склада г.Москва
65 руб.
от 100 шт. —
62 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 65 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
The BSP250.115 is a -30V P-channel Enhancement Mode vertical D-MOS Transistor with high speed switching and low on resistance makes this device suitable for use in low loss motor, actuator drivers and power switching applications.
• 150°C Junction temperature
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.25 Ом/1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.65 | |
Корпус | SOT-223 | |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный | |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 | |
Рассеиваемая Мощность | 5Вт | |
Полярность Транзистора | P Канал | |
Напряжение Истока-стока Vds | -30В | |
Непрерывный Ток Стока | -1А | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.25Ом | |
Напряжение Измерения Rds(on) | -10В | |
Пороговое Напряжение Vgs | -2.8В | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet BSP250,115
pdf, 208 КБ
Datasheet BSP250
pdf, 212 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают