BSP300, MOSFET N-Channel 800V 0.1

PartNumber: BSP300
Ном. номер: 8022869482
Производитель: Infineon Technologies
BSP300, MOSFET N-Channel 800V 0.1
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
140 руб. × = 700 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 10 шт. — 79 руб.
от 25 шт. — 63.20 руб.

Описание

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Small Signal
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Dual Drain
размеры
6.5 x 3.5 x 1.6mm
высота
1.6mm
длина
6.5mm
Maximum Continuous Drain Current
0.19 A
Maximum Drain Source Resistance
20 Ω
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
1.8 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOT-223
Pin Count
4
Typical Input Capacitance @ Vds
170 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
27 ns
Typical Turn-On Delay Time
7 ns
ширина
3.5mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

BSP300, SIPMOS® Small-Signal Transistor MOSFET BSP300