BSP31,115, Trans GP BJT PNP 60V 1A 1300mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9000 шт., срок 7-9 недель

57 руб.

Мин. кол-во для заказа 5000 шт.

Кратность заказа 1000 шт.

Добавить в корзину 5000 шт. на сумму 285 000 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8003309610

Артикул: BSP31,115

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 60В, 1А, 1,3Вт, SOT223 Характеристики

Pd - рассеивание мощности	1300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	BSP31 T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	70 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.7 mm
Collector Current (Ic)	1A
Collector Cut-Off Current (Icbo)	100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	60V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	500mV@50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	100@100mA, 5V
Power Dissipation (Pd)	1.3W
Transistor Type	PNP
Transition Frequency (fT)	100MHz
Вес, г	1