BSP317PH6327XTSA1, Транзистор, P-канал, 250В 430мА 4Ом [SOT-223]

Фото 1/4 BSP317PH6327XTSA1, Транзистор, P-канал, 250В 430мА 4Ом [SOT-223]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
560 руб.
от 50 шт.550 руб.
1 шт. на сумму 560 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 762657551
Артикул: BSP317PH6327XTSA1

Описание

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range.

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.43
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4 Ом/0.43А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.8
Крутизна характеристики, S 0.76
Корпус SOT-223
Пороговое напряжение на затворе -1.5
Вес, г 0.39

Техническая документация

BSP317P datasheet
pdf, 82 КБ
Datasheet
pdf, 615 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 406 КБ
Datasheet BSP317P L6327
pdf, 527 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов