BSS123WQ-7-F, Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 39 000 руб.
Описание
МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 170 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 8 ns |
| Время спада | 16 ns |
| Высота | 0.95 mm |
| Длина | 2.15 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BSS123W |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 170mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 200mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6О© @ 170mA,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 1mA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 408 КБ
Datasheet BSS123WQ-7-F
pdf, 398 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
