BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]

Артикул: BSS138LT1G
Ном. номер: 457167271
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/5 BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
Фото 2/5 BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]Фото 3/5 BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]Фото 4/5 BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]Фото 5/5 BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
Есть в наличии более 1000 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка завтра
3 руб. × = 3 руб.
от 100 шт. — 2 руб.
от 1000 шт. — 1.50 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The BSS138LT1G from On Semiconductor is surface mount, 50V N channel power MOSFET in SOT-23 package. Features low threshold voltage, ideal for low voltage applications. Typical applications include DC-DC converters, power management in portable and battery powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.

• Automotive grade AEC-Q101 qualified
• Drain to source voltage (Vds) of 50V
• Gate to source voltage of ± 20V
• Continuous drain current (Id) of 200mA
• Power dissipation (pd) of 225mW
• Operating temperature range -55°C to 150°C
• Low on state resistance of 3.5ohm at Vgs of 5V

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1.6

Техническая документация

BSS138
pdf, 116 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BSS138LT1G
Datasheet BSS138LT1G