BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]

Артикул: BSS138LT1G
Ном. номер: 457167271
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/4 BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
Фото 2/4 BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]Фото 3/4 BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]Фото 4/4 BSS138LT1G, Транзистор, N-канал 50В 220мА [SOT-23]
Ожидается поступление на склад г.Москва: 11 марта 2019 г. — 6 000 шт.
4 руб.
4257 шт. со склада г.Москва
от 100 шт. — 3.50 руб.
от 1000 шт. — 3 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Срок Кратность Минимум Количество
2.10 руб. 225000 шт. 3-4 недели 3000 шт. 3000 шт.
от 12000 шт. — 2 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Есть аналоги

The BSS138LT1G from On Semiconductor is surface mount, 50V N channel power MOSFET in SOT-23 package. Features low threshold voltage, ideal for low voltage applications. Typical applications include DC-DC converters, power management in portable and battery powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.

• Automotive grade AEC-Q101 qualified
• Drain to source voltage (Vds) of 50V
• Gate to source voltage of ± 20V
• Continuous drain current (Id) of 200mA
• Power dissipation (pd) of 225mW
• Operating temperature range -55°C to 150°C
• Low on state resistance of 3.5ohm at Vgs of 5V

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1.6

Техническая документация

BSS138
pdf, 116 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.