BSS138P, MOSFET,n-channel,60V,360m

PartNumber: BSS138P
Ном. номер: 8056409698
Производитель: NXP Semiconductor
BSS138P, MOSFET,n-channel,60V,360m
Доступно на заказ более 600 уп. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
8 руб. × = 800 руб.
Цена указана за упаковку из 100
Количество товаров должно быть кратно 100 уп.
от 200 уп. — 6.80 руб.
от 500 уп. — 3.94 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, up to 0.9A, NXP Semiconductors

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Semiconductors

Технические параметры

разрешение
Trench MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
3 x 1.4 x 1mm
высота
1mm
длина
3mm
Maximum Continuous Drain Current
0.36 A
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.42 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOT-23
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
0.72 nC@ 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
38 pF@ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time
9 ns
Typical Turn-On Delay Time
2 ns
ширина
1.4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V

Дополнительная информация

BSS138P, 60V, 360mA N-Channel Trench MOSFET Data Sheet BSS138P