BST51,115, Darlington Transistors BST51/SOT89/MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2607 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
от 10 шт. —
96 руб.
от 100 шт. —
65 руб.
от 500 шт. —
48.11 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Darlington Transistors
Описание Биполярный транзистор BST51,115 от производителя NEXPERIA обладает типом NPN Дарлингтон и предназначен для монтажа SMD. Он выделяется током коллектора в 1 А и напряжением коллектор-эмиттер в 60 В, при этом мощность устройства составляет 1,3 Вт. Компактный корпус SOT89-3 делает его идеальным выбором для различных областей применения, где требуется надежная работа в условиях ограниченного пространства. Модель BST51115 гарантирует высокую производительность и долговечность, что делает ее незаменимым компонентом в современной электронике. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN, Дарлингтон |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 60 |
| Мощность, Вт | 1.3 |
| Корпус | SOT89-3 |
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Configuration: | Single |
| DC Current Gain hFE Max: | 1000 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Maximum Collector Cut-off Current: | 0.05 uA |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Part # Aliases: | 933644260115 |
| Product Category: | Darlington Transistors |
| Product Type: | Darlington Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Continuous Collector Current | 1А |
| DC Current Gain hFE Min | 1000hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 1000hFE |
| Power Dissipation | 1.3Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 200МГц |
| Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 186 КБ
Datasheet BST51,115
pdf, 324 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
