BST52,115, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.3 Вт

Фото 1/5 BST52,115, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.3 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
368 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
58 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 45 шт.46 руб.
от 89 шт.43 руб.
от 177 шт.40 руб.
Добавить в корзину 8 шт. на сумму 464 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8405782290
Артикул: BST52,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.3 Вт

Технические параметры

Корпус SOT-89-3
Base Product Number BST52 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 500mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-243AA
Power - Max 1.3W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package SOT-89
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.3V @ 500ВµA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Brand: Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO: 90 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Configuration: Single
DC Current Gain hFE Max: 1000
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Manufacturer: Nexperia
Maximum Collector Cut-off Current: 50 nA
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-89-3
Part # Aliases: 933644270115
Product Category: Darlington Transistors
Product Type: Darlington Transistors
Qualification: AEC-Q101
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.9 V
Maximum Collector Base Voltage 90 V
Maximum Collector Cut-off Current 0.00005mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1.3 V
Maximum Collector Emitter Voltage 80 V
Maximum Continuous Collector Current 1 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum DC Current Gain 1000
Minimum Operating Temperature -65 °C
Number of Elements per Chip 1
Package Type UPAK
Pin Count 4
Transistor Configuration Single
Width 2.6mm
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 56 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 186 КБ
Datasheet BST50,115
pdf, 53 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.