BST52,115, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.3 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
368 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
58 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 45 шт. —
46 руб.
от 89 шт. —
43 руб.
от 177 шт. —
40 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 464 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 1 А, 1.3 Вт
Технические параметры
Корпус | SOT-89-3 | |
Base Product Number | BST52 -> | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A | |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA | |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V | |
ECCN | EAR99 | |
Frequency - Transition | 200MHz | |
HTSUS | 8541.29.0075 | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-243AA | |
Power - Max | 1.3W | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | Automotive, AEC-Q101 -> | |
Supplier Device Package | SOT-89 | |
Transistor Type | NPN - Darlington | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500ВµA, 500mA | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V | |
Brand: | Nexperia | |
Collector- Base Voltage VCBO: | 90 V | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V | |
Configuration: | Single | |
DC Current Gain hFE Max: | 1000 | |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Manufacturer: | Nexperia | |
Maximum Collector Cut-off Current: | 50 nA | |
Maximum DC Collector Current: | 1 A | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -65 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Package / Case: | SOT-89-3 | |
Part # Aliases: | 933644270115 | |
Product Category: | Darlington Transistors | |
Product Type: | Darlington Transistors | |
Qualification: | AEC-Q101 | |
Subcategory: | Transistors | |
Transistor Polarity: | NPN | |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.9 V | |
Maximum Collector Base Voltage | 90 V | |
Maximum Collector Cut-off Current | 0.00005mA | |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.3 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V | |
Maximum Continuous Collector Current | 1 A | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Minimum DC Current Gain | 1000 | |
Minimum Operating Temperature | -65 °C | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | UPAK | |
Pin Count | 4 | |
Transistor Configuration | Single | |
Width | 2.6mm | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.