Мой регион: Россия

BST52TA, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 80 В, 1 Вт, 500 мА, 2000 hFE

Ном. номер: 8836878993
PartNumber: BST52TA
Производитель: Diodes Incorporated
Фото 1/2 BST52TA, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 80 В, 1 Вт, 500 мА, 2000 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BST52TA, Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 80 В, 1 Вт, 500 мА, 2000 hFE
42 руб.
1075 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 40 руб.
от 100 шт. — 20 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 210 руб.

The BST52TA is a NPN silicon planar Darlington Transistor offers 90V collector-base voltage and 500mA continuous collector current.

• Fast switching
• High hFE
• -65 to 150°C Operating temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Length
4.6mm
Maximum Collector Base Voltage
90 V
Transistor Configuration
Single
Brand
DiodesZetex
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Package Type
SOT-89
Maximum Power Dissipation
1 W
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
2.6mm
Transistor Type
NPN
Height
1.17mm
Pin Count
3
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Dimensions
4.6 x 2.6 x 1.17mm
Minimum DC Current Gain
1000
Вес, г
0.16

Дополнительная информация

Datasheet BST52TA

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.