BSZ075N08NS5ATMA1, Trans MOSFET N-CH 80V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Кратность заказа 5000 шт.
Добавить в корзину 5000 шт.
на сумму 700 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Optima's™ 5 power transistorIdeal for high frequency switching and synchronous rectification.
• Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance RDS(on)
• N-channel, normal level
• 100% avalanche tested
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Higher solder joint reliability with enlarged source interconnection
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0062Ом |
| Power Dissipation | 69Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 69Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0062Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSDSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Continuous Drain Current | 73 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 935 КБ
Datasheet BSZ075N08NS5ATMA1
pdf, 1395 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
