Мой регион: Россия

BSZ097N04LS G, MOSFET N-Channel 40V 12A

PartNumber: BSZ097N04LS G
Ном. номер: 8000004042
Производитель: Infineon Technologies
BSZ097N04LS G, MOSFET N-Channel 40V 12A
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
10330 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 48 руб.
от 250 шт. — 34 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 550 руб.
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Тип корпуса
TSDSON
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
3.4мм
Высота
1.1мм
Размеры
3.4 x 3.4 x 1.1мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.4мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
3,5 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
16 ns
Серия
OptiMOS 3
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Максимальное сопротивление сток-исток
14,2 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
18 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1400 пФ при 20 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.