BSZ100N03LSGATMA1, N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON

BSZ100N03LSGATMA1, N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4750 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 рабочих дней
70 руб.
40 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 2 000 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8000005371
Артикул: BSZ100N03LSGATMA1
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Semiconductors
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Number of Elements per Chip 1
Length 3.4мм
Transistor Configuration Одинарный
Brand Infineon
Maximum Continuous Drain Current 40 A
Package Type TSDSON
Maximum Power Dissipation 30 Вт
Серия OptiMOS 3
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 3.4мм
Maximum Gate Threshold Voltage 2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Высота 1.1мм
Maximum Drain Source Resistance 15 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Pin Count 8
Typical Gate Charge @ Vgs 13 nC @ 10 V
Transistor Material Кремний
Channel Mode Поднятие
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 В, +20 В
Вес, г 0.16

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах