BSZ160N10NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 100 В, 0.014 Ом, 10 В, 2.8 В

PartNumber: BSZ160N10NS3GATMA1
Ном. номер: 8088249379
Производитель: Infineon Technologies
BSZ160N10NS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 40 А, 100 В, 0.014 Ом, 10 В, 2.8 В
Доступно на заказ 4145 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
97 руб. × = 97 руб.
от 25 шт. — 85 руб.
от 100 шт. — 66 руб.

Описание

The BSZ160N10NS3 G is a 100V N-channel Power MOSFET that offers superior solutions for high efficiency and high power-density SMPS. Compared to other transistors, this MOSFET achieves a reduction of 30% in both RDS (on) and FOM (Figure of Merit). The OptiMOS™ MOSFET offers industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.

• Excellent switching performance
• Environmentally-friendly
• Increased efficiency
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy to design

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
PG-TSDSON
Рассеиваемая Мощность
63Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Непрерывный Ток Стока
40А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.014Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.8В

Дополнительная информация

Datasheet BSZ160N10NS3GATMA1